怎么看台式机的内存频率(台式怎么看内存条频率)

本篇文章无忧网将为大家介绍怎么看台式机的内存频率(台式怎么看内存条频率)，下面一起来详细了解一下吧。

如何查看内存频率？首先我们要知道内存频率是多少。简单来说就是内存的读写速度。一般来说，内存的读写速度越快，内存的寿命就越长，反之亦然。因此，我们在购买内存的时候，一定要注意内存的频率，不要购买低频内存。那么我们应该如何判断记忆力的好坏呢？其实很简单，只需要一个测试工具即可。我们先来看看这个测试工具是什么。

一：怎么看内存频率有没有跑满

参数，一般存储在记忆棒的SPD上。 2-2-2-8 这4个数字的含义分别是： CAS Latency（简称CL值） 内存CAS延迟时间，是内存的重要参数之一，有些品牌的内存会在内存条上打印CL值在标签上。 RAS-to-CAS Delay (tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间。 Row-precharge Delay (tRP)，存储器行地址选通预充电时间。 Row-active Delay (tRAS)，内存行地址选通延迟。这是最

在一些技术文章中介绍内存设置时序参数时，通用编号“A-B-C-D”对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”。现在你应该明白“2-3-3-6”是什么意思了。 ^_^下面将一一介绍这些参数以及BIOS设置中其他影响内存性能的参数：

1. 内存延迟序列“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置

首先，需要打开BIOS中的手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。 BIOS 设置中可能出现的其他说明包括：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuration By SPD 等，将值设置为“Menual”（根据BIOS 可能的选项有：On/Off）或启用/禁用），如果要调整内存时序，应先打开手动设置，然后会自动出现详细的时序参数列表：

每个时钟的命令(CPC)

可用设置：自动、启用(1T)、禁用(2T)。

Command Per Clock（CPC：指令比，又译为：第一命令延迟），一般也描述为DRAM Command Rate、CMD Rate 等。由于目前DDR 存储器的寻址，P-Bank 的选择（通过必须首先执行DIMM 上的CS 片选信号，然后选择L-Bank/行激活和列地址。该参数的含义是指选择P-Bank后多久可以发出特定寻址的L-Bank/线路激活命令，单位是时钟周期。

显然，越短越好。然而，随着主板上内存模块数量的增加，控制芯片组的负载也会增加，命令间隔太短可能会影响稳定性。因此，当你插入大量内存，出现不稳定的时候，就需要增大这个参数。目前大多数主板都会自动设置此参数。

该参数默认为Disable(2T)，如果玩家内存质量较好，可以设置为Enable(1T)。

CAS 延迟控制(tCL)

可用设置：自动、1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5。

一般我们在查找存储器的时序参数时，如“3-4-4-8”，上述数字序列对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3是第一个参数，CL参数。

CAS Latency Control（也称为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay），CAS Latency是“前端地址控制器对内存读写操作的延迟时间”。 CAS 控制接收指令和执行指令之间的时间。因为CAS主要控制的是十六进制地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最重要的参数，在稳定的前提下应该设置得尽可能低。

存储器按照行和列寻址。当请求被触发时，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay）。预充电后，内存实际上开始初始化RAS。一旦tRAS 被激活，RAS（行地址选通）就开始寻址所需的数据。首先是行地址，然后初始化tRCD，循环结束，然后通过CAS访问所需数据的准确的十六进制地址。从CAS开始到CAS结束的这段时间就是CAS延迟。所以CAS是查找数据的最后一步，也是内存参数中最重要的一个。

该参数控制存储器在接收到数据读取指令之后在实际执行该指令之前将等待多少个时钟周期。同时，该参数还决定了完成内存突发传输的第一部分所需的时钟周期数。这个参数越小，内存越快。必须注意的是，有些内存无法以较低的延迟运行，数据可能会丢失。因此，在提醒大家将CAS延迟设置为2或2.5的同时，如果不稳定的话，只能进一步加大。并且增加延迟可以让内存运行在更高的频率，所以当需要对内存进行超频时，应该尽量增加CAS延迟。

该参数对内存性能影响最大。在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，内存读写操作就越快。 CL值为2将获得最佳性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。请注意，WinbondBH-5/6 芯片可能无法将其设置为3。

RAS# 到CAS# 延迟(tRCD)

可用设置：自动、0、1、2、3、4、5、6、7。

该值是“3-4-4-8”内存时序参数中的第二个参数，即第4个。RAS# to CAS# Delay（也描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD） ，表示“行寻址到列寻址的延迟时间”，该值越小，性能越好。当读、写或刷新存储器时，需要在这两个脉冲信号之间插入一个延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是第二个参数。减少这种延迟可以提高系统性能。建议将此值设置为3或2，但如果该值设置太低，也会导致系统不稳定。值为4 将使系统处于最稳定的状态，而值为5 则过于保守。

如果您的内存超频性能不好，可以将此值设置为内存的默认值，或者尝试增大tRCD值。

最小RAS# 活动计时(tRAS)

可用设置：自动、00、01、02、03、04、05、06、07、08、09、10、11、12、13、14、15。

该值是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。 Min RAS# Active Time（也描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、 Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time），意思是“内存线有效到预充电的最短周期”，这个参数的调整需要根据具体情况来确定。一般情况下，最好设置在5-10之间。这个参数根据实际情况而定，并不是越大越好或越小越好。

如果tRAS周期过长，系统会因不必要的等待而降低性能。减少tRAS周期将导致激活的行地址提前进入非激活状态。如果tRAS周期太短，可能会因为时间不够而无法完成数据的突发传输，从而导致数据丢失或数据损坏。该值一般设置为CAS延迟+tRCD+2个时钟周期。如果您的CAS 延迟为2，tRCD 为3，则最佳tRAS 值应设置为7 个时钟周期。为了提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统崩溃，则应增加tRAS的值。

如果使用DFI主板，tRAS值建议为00，或者5-10之间的值。

行预充电时序(tRP)

可用设置：自动、0、1、2、3、4、5、6、7。

这个值是“3-4-4-8”内存时序参数中的第三个参数，即第二个4. Row Precharge Timing（也有描述为：tRP，RAS Precharge，Precharge to active），意思是‘内存行地址控制器预充电时间'，预充电参数越小，存储器读写速度越快。

tRP 用于设置RAS 需要充电多长时间才能激活另一行。将tRP参数设置太长会导致所有行激活延迟太长，将其设置为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。但是，将tRP设置为2对于大多数内存来说是一个非常高的要求，这可能会导致行激活之前的数据丢失，并且无法顺利完成读写操作。对于台式电脑，建议的预充电参数值设置为2个时钟周期，这是最佳设置。如果低于该值，则每次激活相邻Bank需要1个时钟周期，会影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。仅当tRP值为2且系统不稳定时，才将该值设置为3个时钟周期。

如果使用DFI主板，tRP值建议在2-5之间。值2将获得最高性能，值4将在超频时获得最佳稳定性，值5则过于保守。大多数内存无法使用2的值，需要超频才能达到该参数。

行循环时间(tRC)

可用设置：自动、7-22、步幅值1。

Row Cycle Time（tRC，RC），意为“SDRAM行周期时间”，是包括行单元预充电到激活的整个过程所需的最小时钟周期数。

计算公式为：行周期时间（tRC）=最小行活动时间（tRAS）+行预充电时间（tRP）。因此，在设置该参数之前，您应该了解自己的tRAS值和tRP值是什么。如果tRC时间太长，则由于在完成整个时钟周期后激活新地址的不必要的延迟，性能将会下降。然后，一旦该值设置得太小，就会在激活的行电池完全充电之前启动新的循环。

在这种情况下，仍然可能导致数据丢失和损坏。因此，最好按照tRC=tRAS+tRP来设置，如果你的内存模块的tRAS值为7个时钟周期，tRP值为4个时钟周期，那么理想的tRC值应该设置为11个时钟周期。

行刷新周期时间(tRFC)

可用设置：自动、9-24、步幅值1。

Row Refresh Cycle Time（tRFC，RFC），意思是“SDRAM行刷新周期时间”，即行单元刷新所需的时钟周期数。该值还表示发送到同一存储体中的另一个行单元的两个刷新指令（即：REF指令）之间的时间间隔。 tRFC的值越小越好，略高于tRC的值。

如果使用DFI主板，通常tRFC的值不能达到9，10是最佳设置，17-19是推荐值。建议从17开始按降序测试该值。最稳定的值为tRC加2-4个时钟周期。

行到行延迟（RAS 到RAS 延迟）(tRRD)

可选设置：自动、0-7，每级以1 为增量递增。

行到行延迟，也称为RAS 到RAS 延迟(tRRD)，意思是“从行单元到行单元的延迟”。该值还表示发送到同一存储体中的同一行单元的两个激活命令（即：REF命令）之间的时间间隔。 tRRD值越小越好。

延迟越低，激活下一个存储体进行读写操作的速度就越快。然而，由于所需的数据量，太短的延迟可能会导致持续的数据膨胀。对于台式机，建议tRRD值设置为2个时钟周期，这是最佳设置，此时的数据扩展可以忽略。如果低于该值，则每次激活相邻Bank需要1个时钟周期，会影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。仅当tRRD值为2且系统不稳定时，才将该值设置为3个时钟周期。

如果使用DFI主板，tRRD值为00是最好的性能参数，最高频率可以达到4。通常2是最合适的值，00看起来很奇怪，但有些人可以稳定运行在00-260MHz 。

写恢复时间(tWR)

可用设置：自动、2、3。

写恢复时间（tWD），意思是“写恢复延迟”。该值指定在活动存储体中完成有效写入操作和预充电之前必须等待多少个时钟周期。这个必要的时钟周期用于确保写缓冲器中的数据可以在预充电发生之前写入存储单元。同样，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能会导致在数据正确写入存储单元之前发生预充电操作，从而导致数据丢失和损坏。

如果使用DDR200和266内存，建议将tWR值设置为2；如果使用DDR400或DDR400，则将tWD值设置为3。如果使用DFI主板，则tWR值建议为2。

写入到读取延迟(tWTR)

可用设置：自动、1、2。

Write to Read Delay（tWTR），意思是“读到写延迟”。三星称之为“TCDLR（last data in to read command）”，即最后一个数据进入读命令。它设置DDR 内存模块中同一单元的最后一次有效写入操作和下一次读取操作之间必须等待的时钟周期数。

tWTR 值为2 会降低高时钟频率下的读取性能，但会提高系统稳定性。这样的话，也使得存储芯片高速运行。换句话说，增加tWTR 值可以使内容模块运行得比其默认速度更快。如果使用DDR266或DDR333，请将tWTR值设置为1；如果使用DDR400，也可以尝试将tWTR值设置为1，如果系统不稳定则改为2。

刷新周期(tREF)

可选设置：自动，0032-4708，步长值不固定。

Refresh period（tREF），意思是“刷新周期”。它指的是内存模块的刷新周期。

首先请看同一内存下不同参数对应的刷新周期（单位：微秒，即：百万分之一秒）。这？这里的符号表示本次刷新周期没有对应的准确数据。

1552=100MHz2064=133MHz2592=166MHz3120=200MHz---------------------

3632=100MHz4128=133MHz

4672=166兆赫

0064=200兆赫

--------------------

0776=100MHz1032=133MHz1296=166MHz1560=200MHz

--------------------

1816=100MHz2064=133MHz2336=166MHz0032=200MHz---------------------

0388=100MHz(15.6us)

0516=133MHz(15.6us)

0648=166MHz(15.6us)

0780=200MHz(15.6us)

--------------------

0908=100MHz(7.8us)

1032=133MHz(7.8us)

1168=166MHz(7.8us)

0016=200MHz(7.8us)

--------------------

1536=100MHz(3.9us)

2048=133MHz(3.9us)

2560=166MHz(3.9us)

3072=200MHz(3.9us)

--------------------

3684=100MHz(1.95us)

4196=133MHz(1.95us)

4708=166MHz(1.95us)

0128=200MHz(1.95us)

如果使用Auto选项，主板BIOS将查询内存上一个名为“SPD”（Serial Presence Detect）的小芯片。 SPD存储内存模块的各种相关工作参数等信息，系统会根据SPD中的数据中最保守的设置自动确定内存的工作参数。如果想追求最优的性能，需要手动设置刷新周期的参数。一般来说，15.6us适合基于128兆内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适合基于256兆内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存）。单颗容量32MB）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，会导致存储单元丢失数据。

另外，根据其他资料显示，内存存储的每一位都需要定期刷新才能充电。不及时充电会导致数据丢失。 DRAM实际上是一个电容器，最小的存储单元是比特。数组中的每一位都可以随机访问。但在不充电的情况下，数据只能保存很短的时间。所以我们必须每15.6us刷新一行。每次刷新数据都会被重写。正是由于这个原因，DRAM也被称为非永久存储器。一般情况下，通过同步RAS-only刷新（行刷新），每行都按顺序刷新。早期的EDO内存刷新一行需要15.6us。因此，2Kb存储器每列的刷新时间为15.6s x 2048行=32ms。

二：怎么看内存条频率是多少

AIDA64可以更详细

GPUZ还可以看到实时频率

鲁大师可以看到标志出现的频率

三：win10怎么看内存频率

最近的高温确实有点夸张，小伙伴们都受不了了，我们的电脑快要不堪重负了。这不，有朋友反映，最近他们的电脑，主要是笔记本电脑，变得特别卡。查看资源管理器，发现频率居然被限制了。 0.39GHz，也就是390MHz左右，一夜之间回到了20多年。难怪被卡得这么厉害。究竟发生了什么？我应该如何解决这个问题？

其实：小编之前也提到过原因，没错，很有可能是天气又热导致的，出现这种情况的朋友应该大部分都经历过不久前的强制关机吧？你在说什么？不是因为温度而是因为笔记本电脑的电池？这话是一样的。目前Windows的强制关闭其实是比较“安全”的。它有几秒钟的缓冲，只是为了尽可能保留数据，并安全地停止所有配件，然后断电。

您是否注意到它仍然“保留数据”？不过不可能像正常关机那样将所有存储的文件写入硬盘，所以系统强制关机就有点棘手了。它采用“休眠”机制，直接将当前内存状态保存到硬盘上。只需读取内存状态即可继续工作。顺便说一句，Win10的休眠选项已经从菜单中消失了，但它仍然存在。

这里有一个问题。在因过热（或电池没电）而关机之前，系统常常会将CPU温度降低到最低水平，即0.39GHz，以降温或降低功耗。这些设置也在内存中，我们开机后通过休眠模式的恢复进入内存，让不再过热缺电的电脑继续以0.39GHz运行。

这样一来，解决办法就很明确了，清除设置即可。您可以先正常关机，等待一段时间甚至断开电源线一段时间，然后再开机。一般情况下，内存中的系统状态会被清除。如果Win10/11已经将状态保存到系统设置中，关机重启也无济于事。您可以尝试按住机箱上的电源按钮再次关机。系统会认为这是一个清除状态的操作，会更深入地清除设置。

如果仍然不起作用，请向ThrottleStop 寻求帮助。没错，就是上图所示的软件。在频率和设置窗口左侧找到“BD PROCHOT”，点击前面的复选框，如果CPU频率恢复正常，点击下面的保存按钮保存，就可以正常使用了。当然，最好重启一下，确认是否完全有效。当然，恢复后也不要忘记尽可能加强散热措施。

四：电脑怎么看内存频率

在电脑cmd窗口输入“wmic memorychip”，查看电脑内存条的工作频率。具体操作请参考以下步骤。 1、在电脑界面任务栏上找到“开始”图标并单击。一般情况下，任务栏固定在计算机界面的底部。 2、在“开始”菜单中找到程序搜索栏，在搜索栏中输入“cmd”进行搜索，出现cmd程序后点击。 3.点击“cmd”程序后，会出现cmd窗口

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